报告题目：二维半导体谷激子动力学研究进展

报告人：王雷，伟德BETVlCTOR1946电子科学与工程公司副教授

报告时间：2023.04.20 12:00

报告地点：伟德BETVlCTOR1946中心校区物理楼301会议室

报告简介

　　由于二维过渡金属硫化物（2D TMDs）在带隙边缘附近具有特殊的自旋和谷赝自旋特性，即如MoS₂、WS₂、WSe₂等单层TMD材料中激子的自旋-谷耦合，这使得它们成为自旋-谷电子学应用中很有前途的候选材料之一。自旋-谷电子学是利用谷激子的自旋-谷耦合进行信息的传输和存储的新兴研究领域。材料中能带的最低处称为能谷，受到晶体周期势的特殊对称性和电子特性调制，因而在能谷中被束缚的电子-空穴对（即谷激子）也会继承这些特性。目前，在自旋-谷电子学应用中面临的核心问题是如何理解其中复杂的自旋极化的弛豫机制以及谷激子间的相互作用机制。本报告将汇报：

(1) 室温下单层MoS₂中能谷内混合态的相干耦合过程研究；

(2) 横向量子限域效应对WS₂单层量子点中电子结构及谷激子动力学的影响。

报告人简介

2008年毕业于bv伟德国际体育获学士学位，2014年在电子科学与工程学院获得博士学位，2016-2018年在新加坡国立大学Cheng-Wei Qiu教授组从事博士后研究工作。长期从事超快激光与物质作用的瞬态光物理机制研究，着重研究如碳纳米点、石墨烯量子点、氧化石墨烯等的新型碳基纳米材料、半导体量子点/纳米晶、二维纳米材料的瞬态光物理性质，以及飞秒激光改性的瞬态物理机制。在Nat. Commun.、Laser Photon. Rev.等国际期刊发表第一作者/通讯作者论文25篇，他引6000余次，H因子29。承担国家自然科学基金重大科研仪器研制项目子课题，国家自然科学基金面上项目，国家自然科学青年科学基金项目，中国博士后科学基金面上资助。现为伟德BETVlCTOR1946电子科学与工程学院副教授，唐敖庆青年学者。

举办单位：

伟德BETVlCTOR1946科学技术协会

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