报告题目: 相变信息存储半导体的物性探索与高通量计算筛选研究

报告人: 李贤斌  微电子科学与工程系主任

报告时间: 2021年12月16日（星期四）12：00

报告地点: 伟德BETVlCTOR1946中心校区物理楼301会议室

报告摘要：

相变存储器（Phase-Change Memory，PCM）是一种利用PCM材料的非晶相与晶相间的快速可逆转变来实现非易失性信号存储的技术。当前PCM技术的主要商业应用包括存储集成电路和数据光盘；此外，PCM技术也在内存计算、人工神经形态系统、全光片上存储及计算等新兴领域展现出巨大潜力。开发性能优异的PCM材料是该领域的核心关键问题。本次报告将介绍报告人课题组开展的当前国际上最大规模的PCM材料高通量计算筛选研究工作。他们从具有超过12万个结构的无机晶体数据库中进行搜寻，利用针对PCM材料的元素种类、禁带宽度、原子构型、相稳定性的要求，以及自定义的器件性能描述判据获得了52个候选PCM材料体系。进一步，利用模拟数据擦写操作的分子动力学仿真验证了候选材料体系和筛选策略的合理性。这些探索可为低功耗相变信息存储器及其存储电路的材料工业开发提供有益参考建议。

报告人简介：

李贤斌，伟德BETVlCTOR1946教授，现任微电子科学与工程系主任。长期从事相变信息存储器及光电器件中关键半导体物理问题研究，特别针对相变存储器速度提升与功耗降低等问题，采用电子结构计算方法，取得了一些创新成果。曾在Phys. Rev. Lett.、Nature Commun.、IEEE、Adv. Mater.等学术期刊发表第一/通讯作者论文50余篇。曾获国际半导体物理大会、IEEE国际固态集成电路技术会议、华为未来之光论坛、美国材料学会相变存储材料论坛、中德电子存储材料双边学术论坛等学术会议邀请报告30余次。曾获国家优秀青年科学基金，教育部青年学者、吉林省青年科技奖等荣誉。参与设计的TiSbTe相变材料因超快存储速度被半导体工业同行点评具有出众性能；与合作者共同提出的过渡金属元素牢靠钉扎中心模型曾为我国相变存储芯片研制提供材料设计方案。

举办单位：

伟德BETVlCTOR1946科学技术协会

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