主讲人：柯友启

    上海科技大学 物质科学与技术学院 固体物理和光科学中心 助理教授

主 题：第一性原理方法模拟纳米电子器件:挑战和机遇

时 间：2016年5月25日（星期三）下午4：30

地 点：伟德BETVlCTOR1946物理楼333报告厅

简 介：

  基于非平衡态格林函数(NEGF)-密度泛函理论(DFT)的模拟纳米电子器件第一性原理量子输运方法已经经历了接近15年以上的发展和使用, 目前已经成为模拟纳米尺度电子器件的主流方法。但是对于实际的器件，NEGF-DFT量子输运方法依然面临各种挑战与机遇: 含有杂质的无序器件，大尺度器件，纳米电容器等。这个报告将主要介绍量子输运方法背景以及我们在解决无序杂质影响方面取得的理论新进展。对于无序器件，在理论模拟方面，我们感兴趣于杂质组象平均的输运性质以及相应的无序引起的特性涨落(Fluctuation，或device-to-device variability)。但是因为缺乏有效理论方法来做杂质组象平均，无序杂质对器件输运特性的影响一直都得不到全面的研究。我们最近提出了“Generalized Non-equilibrium Vertex Correction Method in Coherent Medium Theory”来给无序器件的模拟提供一个有效，普遍，统一的理论方法, 并且这个方法可以与DFT结合来实现第一性原理模拟无序纳米电子器件。

报告人简介：

  1999年9月-2003年9月就读于伟德BETVlCTOR1946物理系获得物理学学士；2003年9月-2005年9月就读于伟德BETVlCTOR1946原子与分子物理研究所获得物理学硕士；2005年9月-2010年9月就读于加拿大麦吉尔大学物理系获得物理学博士；2010年10月-2014年8月在美国普林斯顿大学机械与航天工程系从事博士后科研工作；2014年8月加入上海科技大学物质科学与技术学院，任助理教授。 2015年得到国家计划支持。目前的研究主要包括两部分：1，发展可计算真实纳米电子学器件的量子输运方法及利用其来模拟信息处理和存储器件以及能源转化和存储器件中的新奇电子输运特性；2，发展适用于大尺度材料科学模拟的第一性原理无轨道密度泛函理论及利用其来模拟大尺度金属材料的力学性能。